意法半導體推出新款超接面MOSFET和封裝功率電晶體
意法半導體推出新款超接面MOSFET和封裝功率電晶體
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics；ST；紐約證券交易所代碼：STM)推出一系列採用TO-220 FullPAK(TO-220FP)wide creepage封裝的功率電晶體，其中包括採用防電弧封裝的全球首款1,500V超接面MOSFET。
電視和PC等常用的電器採開放式電源，容易聚集塵土和粉塵，導致功率電晶體引腳之間產生高壓電弧放電現象，TO-220FP wide creepage封裝是這類應用功率電晶體的理想選擇。
在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊製程，這款新封裝將引腳間距擴大至4.25mm，讓電源廠商能夠滿足現行安全標準，將客戶端的電源故障率降至最低，生產時無需使用額外的防電弧加工製程，從而簡化了製造過程，提高了生產效率。
在提供優異的防電弧功能的同時，TO-220FP wide creepage亦保留深受市場好評且出色的電子特性。此外，相似的外觀尺寸還可以簡化組裝問題，確保符合現有組裝流程。
TO-220FP wide creepage封裝是意法半導體與其南韓知名電源廠商SoluM的合作開發成果。SoluM正在使用這款優異封裝，進行開發穩健性和成本效益高於競品的電源解決方案。
意法半導體TO-220FP wide creepage功率電晶體目前進入量產準備階段，並導入全球主要電視製造商的新產品中。新系列產品包括4款完全符合認證的600V低導通電阻RDS(ON)MDmesh M2系列MOSFET，額定電流從8A至34A。1,500V STFH12N150K5和1,200V STFH12N120K5 MDmesh K5系列產品預計將於2016年第3季度取得相關認證。
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