華虹宏力技術論壇首次登陸美國圓滿落幕
華虹宏力技術論壇首次登陸美國圓滿落幕
2016/11/14-李佳玲
全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體製造有限公司(華虹宏力)2016年度技術論壇在美國圓滿落幕，這是華虹宏力新設合併後首次在海外舉辦技術論壇。
在技術論壇上，華虹宏力展示了其物聯網(IoT)時代下的先進製造技術以及全方位的綠色智能代工解決方案，吸引了來自美國各地的諸多半導體晶片設計公司、技術合作夥伴與設備材料工具供應商等參與交流。
本次論壇圍繞智能物聯，綠色創「芯」主題展開，由華虹宏力北美及日本銷售副總裁林宏哲博士主持。首先，華虹宏力執行副總裁范恒先生致歡迎辭，並簡要回顧了公司發展歷程和取得的成績。他說，華虹宏力堅持立足於差異化工藝技術的持續創新，積極開發新項目新技術，不斷完善和優化現有工藝平台，在嵌入式非易失性存儲器技術、功率器件以及電源管理技術等領域位居世界領先地位。
公司自成立以來，持續致力於海內外市場拓展，業績大幅度提升。2016年第3季度，銷售收入達1.853億美元，再創歷史新高。他感謝所有客戶和合作夥伴長期以來對華虹宏力的信任和支持，表示今後華虹宏力將持續創新，為全球客戶製造「芯」夢想，使人們的生活變得更加美好。
華虹宏力戰略、市場與發展部部長胡湘俊先生向客戶介紹了公司業務發展現狀，並描繪了公司技術藍圖。他表示，華虹宏力在上海營運3座200mm晶圓廠，目前月產能總計達15.3萬片。持續進行的產能擴充已顯現成效，預期將在可預見市場獲得更多的發展機遇。
華虹宏力將繼續提高在不同技術層面的整合能力，尤其是對低功耗嵌入式閃存技術和低成本CMOS射頻技術的整合。華虹宏力還將持續減小存儲單元及IP模塊的面積，進一步優化先進的差異化技術，為不同客戶提供高效能、具成本效益的增值解決方案。
華虹宏力技術團隊在技術論壇上發表了各類專題研討，與合作夥伴們分享交流，包括華虹宏力目前的嵌入式閃存技術、BCD和功率器件技術、Si-Based射頻技術、汽車電子等特色工藝技術的最新成果。華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器技術方面又有新的突破，90納米eFlash/eEEPROM技術已實現風險量產。
由於適用於高效、高速電力轉換應用的超級結MOSFET(SJNFET)市場需求強勁，華虹宏力SJNFET工藝平台的付運量與日俱增，累計超過160,000片晶圓。華虹宏力是大陸唯一一間擁有全套IGBT背面製程技術的晶圓代工廠，可就低電壓至高電壓綠色能源應用提供完整解決方案，並根據客戶需求訂製不同電力裝置。
此外，華虹宏力正在加速研發6,500V超高壓IGBT技術，以用於高端工業及能源應用。通過此次技術論壇，華虹宏力的最新技術和服務都傳達給了與會嘉賓。
DIGITIMES中文網 原文網址: 華虹宏力技術論壇首次登陸美國圓滿落幕 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000486033_EWT1R2892KOLS649PYH96#ixzz4Q28BErM5
