汎銓最新TEM技術 協助客戶領先搶得灘頭堡
汎銓最新TEM技術 協助客戶領先搶得灘頭堡
鄭斐文
2018-01-04
IC產業蓬勃發展，在摩爾定律下，晶圓廠在每個世代的製程競賽中，持續研發新技術與設計，藉著微縮線寬來降低IC成本及提高效能。汎銓科技面對製程技術與設計不斷演變與改良，除了引進最先進的設備，也投入更大的研發能量，克服各種先進製程分析的關卡。
2011年，汎銓領先業界引進當時最先進的Dual Beam FIB-Helios 450S，大幅提升TEM案件樣品的製備能力；2013年汎銓引進FEI V400ACE，成功達成20nm IC的電路修補，同時開發出Ag線開蓋技術，建立Ag 線封裝IC 失效分析能力，這2項新品項服務名稱為FIB V400ACE先進製程電路修補及Decapsulation雷射去封膠∕特殊銀線處理；2014年再購置台灣第1台UHR SEM，配合特有的蝕刻顯像技術，放大倍率可達100萬倍，是目前業界最高解析度的SEM，2014年於UHR SEM加裝台灣第一台 150 mm2 EDS SDD感測器， 提高SEM成分分析空間解析度達10nm等級，此一分析服務新品項名為SEM/EDS(FEI 高解析UHRSEM/EDS)。
汎銓技術長陳榮欽博士表示，進入2017年第4季，汎銓將整合相關成熟的分析工法，以TEM(Si定點)X-S試片製備EUV光阻材料分析、TEM(Si定點)X-S試片製備EUV-10nm超薄試片、TEM(Si定點)X-S試片製備EUV-5nm超薄試片等新的分析技術品項，滿足客戶品質及效率需求。汎銓持續引進先端設備及投入技術研發，造就了半導體分析技術領先同業的局面。陳榮欽強調，在材料分析業，只要願意投資，引入先進儀器都不難，但單憑設備無法建立絕對的競爭力；重點是，好的分析設備必須配合優異的試片製備技術，以及擁有正確的資料判讀能力，才是決定分析品質的關鍵，汎銓在這方面一路領先。
EUV光阻是先進製程開發的重要材料之一，材料特性很容易受到製備及觀測而改變原始形貌造成誤判，汎銓開發一系列低損傷工法，可保護易損傷材料，透過良好的試片製備技術及觀測手法，正確地在TEM、 FIB、SEM觀測光阻的橫截面的形貌，以評估曝光顯影狀況，或以特殊的高解析SEM手法來觀測光阻線之間的曝光顯影殘留狀況。
TEM試片製備厚度是TEM分析能力的重要指標，汎銓具有超薄TEM試片5nm奈米的製備能力。針對大面積觀測的試片需求，汎銓也開發出無刀痕離子切割及低溫無刀痕離子切割工法來因應，可應用於 3D 封裝及含有軟性材質的有機面板等分析需求。
汎銓在SEM前製備技術的突破，使得低價SEM影像的表現接近TEM影像，有效降低分析成本提高競爭力，這些技術包含強化NP Junction 介面染色、缺陷染色、有機介面染色及離子束染色等技術，這些新技術可應用在觀察半導體摻雜植佈深度介面、高壓元件及LED 產業缺陷密度計算、有機面板的製程介面等分析需求。
