透過M35B32 EEPROM晶片，系統能夠在1毫秒內完成大量關鍵訊息(2Kbits)的儲存，當偵測到系統故障或事故時可立即做出反應。如果發生斷電等意外情況，在電源電壓降至最低額定電壓前，這款超快速數據儲存產品可以保存系統恢復所需的訊息。

 

這款高速記憶體的主要目標應用包括遊戲機、電池供電設備、電表、智慧電網設備、工業系統以及醫療裝置。相較於市場上的同類非揮發性記憶體，M35B32的寫入速度約為標準32-Kbit EEPROM的40倍，可媲美快閃記憶體的寫入速度。意法半導體全新的記憶體產品功耗約為快閃記憶體的10分之1，當系統電源意外失效時，設計人員只需使用1個正常尺寸10分之1的後備電源電容器即可完成寫入操作，從而大幅度地節省材料成本和電路板空間。相較於高速FRAM技術，M35B32的EEPROM技術更具成本與品質優勢。

M35B32擁有32-Kbit的儲存容量，分為事件記錄和正常系統EEPROM兩個儲存區。這兩個儲存區可讓用戶按照不同的應用需求調整儲存空間。256 bytes的大容量儲存頁面准許一次寫入大量數據，當向事件記錄區尋址時，訊息寫入時間小於1毫秒，這個特性可提升系統性能，並節省軟體開銷。M35B32內建標準SPI串列介面，可直接替代標準SPI串列記憶體。

M35B32已投入量產，採用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型表面黏著封裝。車規級產品預計於2012年初推出，新產品將簡化汽車系統如ABS的設計。