新款SiGe:C HBT電晶體可將無線接收到的微弱微波訊號放大為適合的水準，以達到0.75 dB的雜訊值，為無線區域網路及其他應用所使用5.8 GHz頻段的業界最高水準。由於能夠以如此低的雜訊放大訊號強度，因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由於它可減少訊號傳輸錯誤，因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩現有產品的4分之1。

 

瑞薩銷售適用於微波放大器應用的電晶體及IC，為無線區域網路、消費性家用無線電話、地面數位電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案，並且在微波應用電晶體領域獲得業界第1的市佔率(瑞薩的估計)。在上述背景之中，瑞薩已開發出採用SiGe:C材料的全新製程技術，以回應市場對於更低雜訊的需求，並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎，瑞薩已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置，可達到業界最高水準的低雜訊效能，並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。

(1)業界最高水準的5.8 GHz頻段低雜訊效能

利用上述新開發的SiGe:C製程，瑞薩5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達到業界最低的雜訊值0.75 dB。相較於瑞薩先前的SiGe HBT裝置，改善了0.35 dB。另外，此裝置在最小雜訊值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少，而且新裝置能以瑞薩先前產品4分之1的耗電量，提供接近的效能。

(2)更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩定運作

在早期以矽為基礎的異質接面電晶體中，無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少雜訊，而這限制了這些裝置可使用的應用範圍。在此新款產品中，瑞薩最佳化集極-基極的特徵，使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應範圍，並且在數MHz到14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定的運作效能，使此裝置可用於更廣泛的應用範圍。例如，它支援所有ISM頻段應用，包括智慧電網、智慧電表及家庭區域網路(HAN)應用。

另外，由於此電晶體是為了微波應用而開發的，因此瑞薩提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩封裝名稱：M04封裝)。因此，此產品有助於減少使用者終端產品的製造步驟，例如由於現有封裝的良好紀錄，可簡化安裝評估程序，或者使用現有的電路板線路圖，僅需稍微修改周圍的電路。

在利用上述新製程的優勢，擴充其具有業界最高水準低雜訊效能的雙極電晶體產品線的同時，瑞薩亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發，並進一步提供此領域的解決方案，以回應市場需求。