2011/11/02-賴品如

 

英飛凌科技已於奧地利菲拉赫(Villach)據點生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片(first silicon)，成為全球首家進一步成功採用此技術的公司。採用300毫米薄晶圓生產之晶片的功能特性，與以200毫米晶圓製造之功率半導體相同，已成功通過在高壓應用產品中使用金氧半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的應用測試證明。

英飛凌董事會成員，負責運籌、研發及勞方主管Reinhard Ploss博士表示：「英飛凌工程師的成就，代表生產技術的大躍進。創新奠定了獲利成長的基礎，也確保我們的競爭優勢。」

2010年10月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設立300毫米晶圓及薄晶圓技術的功率半導體前導生產線。目前該團隊擁有50名工程師和物理學家，來自研究、開發、製造技術及市場行銷等各個領域。

英飛凌擁有眾多非凡成就，而首顆300毫米下線晶片，是英飛凌持續成功製造節能產品專用之功率半導體的推手。根據IMS Research於今(2011)年8月提出的研究報告，英飛凌在2010年仍位居全球功率半導體市場龍頭，並已連續第8年獲此殊榮。

在電晶體發明55年之後，英飛凌以革命性的CoolMOS電晶體技術，榮獲2002年德國工業創新大獎(German Industry’s Innovation Award)。高壓電晶體，已在眾多應用領域提升能源效率，如PC電源供應器、伺服器、太陽能電源轉換器、照明與電信系統。這些節能晶片目前也是消費性電子裝置的必要元件，如平面電視和遊樂器。使用能源、節約能源且不失效率，已成為所有用電產業與家庭應用的首要需求。英飛凌的節能半導體解決方案，可節省高達25%的全球電力消耗。

英飛凌今年7月底宣布，將德勒斯登(Dresden)設立為Power 300技術的高量產據點，作為其投資計畫之一。從計畫開始執行到2014年，英飛凌科技德勒斯登公司(Infineon Technologies Dresden GmbH)將投資約2.5億歐元，並為德勒斯登創造近250個工作機會。