2011-12-20
ROHM推出高耐壓型功率MOSFET 導通電阻僅34mΩ為業界最低
2011/12/20-賴姿侑
半導體製造商ROHM株式會社全新推出創業界新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET：「R5050DNZ0C9」，500V/50A/typ、34mΩ max45mΩ，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。本產品採用高散熱性的TO24PLUS封裝，9月中旬起樣品出貨，2011年12月起開始進行量產。
隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。因此，像是藉由改善功率轉換效率以達到節能效果，或是能降低損耗等，此類發電系統所使用的功率調節器對於功率MOSFET之要求也隨之愈來愈高。
ROHM運用傳統的多層磊晶生長(epitaxial growth)方式，以垂直型pn接合多個並排的超接合(Super Junction)結構功率MOSFET，達到高效率目標。但此種方式所需的製程較複雜，因此在細微化以及生產性的提升上便成為難題。
本次ROHM採用可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術，並藉由細微化與不純物濃度之最佳化的技術，導通電阻成功降低47%(與傳統產品相比)，最適合容易受到低導通電阻影響的轉換器使用，另外搭配ROHM的快速回復二極體或碳化矽蕭特基二極體，亦可使用於變頻器等產品。
本產品可大幅降低功率轉換時所造成的損耗，如此便能有效提高太陽能的發電效率，除此之外，為了滿足各種不同的電路需求，ROHM還計畫利用此一技術來研發具備更高耐壓特性的產品系列「PrestoMOS」。
高耐壓型功率MOSFET「R5050DNZ0C9」之主要特點：
(1) 業界最高級距的低導通電阻
(2) 搭載高散熱性的TO247PLUS封裝
