2012/01/04-費斯瑋

 

擁有快閃記憶體先進設計技術之頂尖半導體解決方案供應商瑞薩電子，宣布其已開發出第一款適用於汽車即時應用領域之40奈米(nm)記憶體智慧財產權(IP)，瑞薩也將是首先使用上述40奈米快閃記憶體技術，針對汽車應用領域推出40奈米嵌入式快閃記憶體微控制器(MCU)的廠商，其樣品將於2012年秋季開始供應。

瑞薩在開發具有高品質及高可靠性的快閃記憶體MONOS(金屬氮氧矽)技術方面，擁有豐富的經驗且廣受好評，在2007年，瑞薩也是第一家推出90奈米汽車用快閃記憶體MCU產品的廠商。

瑞薩快閃記憶體MONOS技術為可擴充的技術，不僅可靠性高且具備高效能，40奈米快閃記憶體測試元件的評估結果，已證明其在三個重要的參數(資料保存、程式／抹除週期耐受性及程式設計時間)方面，均能成功做到優異的特性表現。40奈米製程節點可整合多種與安全相關的功能性與通訊介面。

瑞薩的40奈米快閃記憶體IP保證資料可保存20年，並可在最高170℃結合溫度下進行讀取。此外，程式碼快閃記憶體支援120 MHz讀取速度，而資料快閃記憶體即使在125,000次程式／抹除週期後，仍可達到領先業界的20年超長資料保存時間。