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2012-05-07

新思StarRC解決方案通過聯電28奈米設計認證

新思StarRC解決方案通過聯電28奈米設計認證
2012/05/07-張琳一

全球半導體設計製造軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)近日宣布,其StarRC寄生電路抽取(parasitic extraction)解決方案通過聯華電子(UMC)最新28奈米製程技術的認證,在聯電所提供的測試評估設計環境中,該解決方案可達成矽晶驗證(silicon-validated)的準確率,符合聯電先進28奈米Poly SiON及高介電金屬閘極(High K/Metal gate)製程的條件;StarRC技術文件(technology files)已可供聯電28奈米製程客戶使用。

聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援部簡山傑副總經理表示,聯電持續透過與新思科技等先進EDA大廠合作,為客戶提供可成功達成矽晶設計的高品質解決方案。新思科技StarRC寄生電路抽取解決方案,有效符合聯電28奈米製程技術條件的要求,強化了聯電提供給28奈米製程客戶的資源廣度。而雙方的共同客戶可充分利用聯電最先進的晶圓製程,成功達成創新產品的開發。

StarRC是新思科技Galaxy實作平台的重要工具軟體,該寄生電路抽取解決方案乃針對SoC、客製數位類比/混和訊號(analog/mixed-signal,AMS)及記憶體設計(memory design)所開發。針對28奈米製程,StarRC所提供的功能包括主要寄生電路效應(parasitic effect)的模型,如先進製程的重新定向效應(retargeting effect)、新的導孔蝕刻(via etch)和耦合效應(coupling effect)、導孔之電阻電容(via resistance and capacitance)、多項式擴散電阻(polynomial-based diffusion resistance),以及經強化的佈線裝置寄生電路抽取。

此外,StarRC也提供其他專為28奈米製程所設計的先進功能,包含針對快速、高準確性的3D抽取之Rapid3D技術、多核效能及擴展性的強化、縮減面積的能力,以及針對大型SoC設計簽核(signoff)所提供的網表(netlist)等。

新思科技設計實作事業群資深副總裁暨總經理Antun Domic表示,StarRC持續在寄生電路抽取和先進製程設計簽核的技術上領先業界,該解決方案通過聯電的驗證,可協助聯電28奈米客戶採用新思科技先進製程模型和抽取技術的優勢,而這將讓客戶更有把握達成高效能28奈米產品的上市。

DIGITIMES中文網 原文網址: 新思StarRC解決方案通過聯電28奈米設計認證 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000281780_RJE6619T9AR65ILOT7PBH#ixzz1u8kuS13R

 

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