宜普推出專為具高降壓比轉換器應用開發板
宜普推出專為具高降壓比轉換器應用開發板
2014/05/05-吳冠儀 宜普電源轉換公司推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側(控制)場效應電晶體相比，宜普並聯了兩個低側(同步整流器)場效應電晶體使得傳導時間更長。
EPC9016開發板內含40V增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，是一種25A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。
與矽MOSFET器件相比，氮化鎵場效應電晶體具備超卓的電流共用功能，為理想的可並聯工作的電晶體。這塊開發板在最優版圖上進一步發揮採用超低電感封裝的氮化鎵場效應電晶體的性能。這種最優版圖技術提高了效率並同時降低電壓過沖及EMI。
EPC9016開發板的最高電壓為40V、最大輸出電流為25A，使用半橋配置、配以EPC2015 氮化鎵電晶體及板載柵極驅動器(LM5113)。該半橋配置含單一頂部器件及兩個並聯的底部器件，建議用於具有高降壓比例的降壓轉換器應用，包括負載點轉換器及給非隔離型通信基建使用的降壓轉換器應用。
EPC9016開發板是塊2英吋x1.5英吋單板，板上集成了關鍵元件。此外電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形及計算效率。隨EPC9016開發板一起提供的還有一份供用戶參考及易於使用的速查指南，內有詳細資料。
EPC公司推出採用半橋式拓撲並配備一個板載柵極驅動器的開發板，可簡化對超高頻、高性能的EPC8000氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)系列進行評估。
由於EPC8000系列的高頻氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)在亞納秒範圍內開關，因此適用於10 MHz頻率以上的硬開關應用，使得功率及射頻電晶體的分界線變得模糊。
為了簡化對高頻、高性能的氮化鎵場效應電晶體進行評估，宜普公司為這個新產品系列內的每一個器件提供開發板。每塊開發板是塊2英吋x1.5英吋單板，內含兩個氮化鎵場效應電晶體，使用半橋式配置，最低開關頻率為500KHz。板上集成了所有關鍵元件以實現最高頻開關性能。此外，電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單波形及計算效率。
DIGITIMES中文網 原文網址: 宜普推出專為具高降壓比轉換器應用開發板 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000377040_UZ7LKO5Z5LKPUVLM9EOZ0#ixzz30nfs1ALR
