2015-04-27
宜普公司推小尺寸電晶體 具備大電流承載能力
宜普公司推小尺寸電晶體 具備大電流承載能力
2015/04/27-吳冠儀 全新氮化鎵(eGaN)功率電晶體(EPC2029)進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列，EPC2029氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高產量並與成熟的製程及組裝生產線兼容。
宜普電源轉換公司宣布推出採用更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是新品系列第一個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸(2.6mmx4.6mm)的元件可以具備大電流承載能力。
與具有相同的電阻的先進矽功率MOSFET元件相比，EPC2029的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想元件。
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