快捷降低IGBT損失 助工業及汽車產業增強能效
快捷降低IGBT損失 助工業及汽車產業增強能效
2015/06/25-孫昌華
領先全球的高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild(快捷半導體)在其第四代650V及1200V IGBT元件中降低能量損失達30%。
Fairchild採用專為工業及汽車市場高／中速開關應用量身定製的全新設計方法，可提供工業領先級效能以及極強的閂鎖抗雜訊能力，實現卓越的耐用性與可靠性。Fairchild在PCIM Asia 2015展覽會上展示了該方法及其在若干應用中的測試結果。
資深IGS分析師Victoria Fodale表示︰「製造商高度關注更先進的IGBT，降低IGBT的開關損失能夠提高其產品的能效。在各項應用中，從電動汽車及太陽能光伏發電系統，到高效率HVAC應用及工業逆變器，最大限度地降低損失是本質上實現最高能效的關鍵因素。」
Fairchild採用全新的自校準接觸技術來實施先進的高密度間距、自平衡單元結構，在-40ºC～175ºC的溫度範圍內可實現極高的電流密度以及非常出色的動態開關特性。全新設計的第四代 IGBT具有極低的飽和電壓(Vce(sat)=～1.65V)及低開關損失(Eoff=5µJ/A)等權衡特性，助客戶實現更高的系統效率。除了新一代產品，Fairchild還將提供標準化且功能強大的設計與模擬基礎架構套件，適用於所有高低壓功率元件。
Fairchild Fellow Thomas Neyer表示︰「Fairchild採用的全新方法包括，透過非常精細的單元間距設計來增強效率，實現極高的電子射入效率，透過全新的緩衝結構來限制電洞載子的射入。這些改進實現了巨大的效能優勢，使Fairchild能夠賦予製造商全新的解決方案，藉助我們的IGBT高效控制電源產生的巨額成本。」
DIGITIMES中文網 原文網址: 快捷降低IGBT損失 助工業及汽車產業增強能效 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000431694_LWT72YC48DMOC85PWK9PS#ixzz3e22C1Cou
