英特爾美光共同開發顛覆性記憶體技術
英特爾美光共同開發顛覆性記憶體技術
2015/08/03-鄭斐文
英特爾與美光科技近日發表3D XPoint技術，這種非揮發性記憶體擁有十足潛力，能徹底改造任何裝置、應用與服務，讓它們能快速存取大量的資料，為自1989年NAND快閃晶片推出以來第一個新記憶體類別。
連網裝置與數位服務的爆炸性成長，產生極其可觀的新數據。要讓這些資料發揮功用，系統必須非常快速地儲存與分析資料，對服務供應商與系統廠商而言產生許多挑戰，在設計記憶體與儲存解決方案時必須在成本、功耗以及效能等因素之間取得最佳的平衡點。3D XPoint技術結合了現今市場上所有記憶體技術在效能、密度、功耗、非揮發性以及成本等方面的優點。3D XPoint技術的速度比NAND高1,000倍，耐用度也提升了1,000倍，密度也比傳統記憶體高出10倍。
英特爾資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理Rob Crooke表示，數十年來業界尋找各種方法，努力降低處理器與資料之間的延遲，藉以加快分析的速度。這種新類別非揮發性記憶體可以達成此目標，為記憶體與儲存解決方案帶來顛覆性的效能。
美光科技總裁Mark Adams表示，現代運算其中一項最艱鉅的障礙，就是處理器存取放在長期儲存媒體內資料所耗費的時間。這種新類別非揮發性記憶體是一項革命性的技術，不僅使系統能快速存取數量龐大的資料集，還能讓各界開發出許多嶄新的應用。」
數位世界以飛快的速度持續成長，全世界在2013年創造出4.4 zettabytes的資料，到了2020年預估將增加到44 zettabytes – 3D XPoint技術能在數奈秒內將龐大的數據轉化成有用的資訊。例如，零售商可運用3D XPoint技術更迅速地辨識金融交易的詐騙模式；醫療研究人員能即時處理與分析龐大的資料集，讓基因分析與疾病監控等複雜作業加速進行。
3D XPoint技術的各種效能優勢還能提升對桌上型電腦的體驗，消費者能在社群媒體上更快互動與合作，或享受更逼真震撼的遊戲體驗。此技術的非揮發特性亦為各種低延遲儲存應用帶來更多的選擇，因為當裝置電源關閉後，資料並不會就此消失。
新製程步驟與架構造就突破性記憶體技術
經過十多年的研究與開發，從零開始設計的3D XPoint技術以實惠的成本滿足各界對非揮發性、高效能、高耐用性以及高容量儲存與記憶體的需求。它開啟一種全新類別的非揮發性記憶體，不僅大幅降低延遲，還讓更多資料能存放在緊鄰處理器的地方，並以過去非揮發性儲存產品不可能達到的速度來存取資料。
不含電晶體的創新交叉點結構，組成一種三維棋盤架構，每個記憶體儲存單元位在字組線(word line)與位元線(bit line)的交叉點上，系統能單獨存取每個儲存單元。因此系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序變得更快且更有效率。
DIGITIMES中文網 原文網址: 英特爾美光共同開發顛覆性記憶體技術 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000437090_VW31I8NE83FPO81D0KCYR#ixzz3hiCutkSj
