IDT發表新型可變電壓衰減器
IDT發表新型可變電壓衰減器
2015/09/17-鄭斐文
IDT近日發表兩項RF可變電壓衰減器(VVA)系列新品 ，能夠擴展IDT頻率覆蓋範圍，支援1 MHz～6 GHz的頻率。 與本系列其他產品相同的為 F2255 和 F2258 裝置，提供領先業界的低插入耗損以及高線性度等優勢。
IDT的VVA產品針對需要準確衰減的應用程式提供模擬控制。這兩項新產品皆採用16接腳TQFN封裝(3×3mm)，提供少於他牌解決方案約莫一半的介入損失，IP3效能為1000x(30 dB)倍更優於他牌GaAs裝置，且在整個電壓控制範圍內，尚具備dB線性衰減的特色。低插入損耗能夠減少射頻鏈路的路徑損耗，而高線性度則能夠增進系統頻寬。
這些最新裝置不僅符合流行脈動，且非常適合使用於基地台(2G、3G及4G)、微波設施、公共安全、可攜式無線通訊／資料設備、測試／ATE設備、軍用系統、JTRS無線電和HF、 VHF和UHF收音機等。
IDT DF部門總經理Chris Stephens表示，和GaAs解決方案相比，IDT的RF矽基產品能夠帶來卓越效能，也就是提升到30dB的線性度。本次的新產品是目前市場上具有最低插入耗損的VVA產品，且最具有線性衰減控制特色。
IDT衰減器運用矽基射頻半導體技術，能夠提供一種替代舊以GaAs為基準的半導體技術。矽晶技術提供加強後的RF性能優勢，更強大的靜電放電(ESD)保護、更好的濕度敏感性等級(MSL) ，提高散熱性能、更低的功耗以及矽晶技術的信度。
與他牌具備管腳相容特色的GaAs產品相較之下，F2258裝置具有一個輸入IP3高達65dBm對35dBm的特色，33dB/V與53dB/V的最大衰減斜率；最低反射耗損高達6,000MHz，12.5dB對7dB；以及操作105℃ 對 85℃的最大溫度範圍。
F2255裝置能夠支援最低1MHz的頻率，且最大衰減斜率為33dB/V。兩項裝置皆擁有雙向RF端口，並支援3V或5V的單一正電源電壓，工作溫度範圍為-40℃～105℃。
DIGITIMES中文網 原文網址: IDT發表新型可變電壓衰減器 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000441243_XK213J2K5RAUII2N6HTAY#ixzz3lxBKftrQ
