IDT以新KZ恆阻抗技術改善RF切換器效能
IDT以新KZ恆阻抗技術改善RF切換器效能
2015/12/25-鄭斐文
IDT推出業界第一款採用其專利申請中的KZ恆阻抗技術的單刀雙擲(SPDT)RF切換器。IDT F2923是一款低插入損耗的SPDT吸收式RF切換器，適合大多數的RF應用，包括基地台(2G、3G、4G、5G)、無線回程、CATV和可攜式手持設備。
當RF端口間切換時，KZ控制所有端口的阻抗，以保留回波損耗。當切換RF路徑時，標準切換器由於在交換期間無KZ功能控制開關的阻抗，導致產生較大的電壓駐波比(VSWR)。VSWR瞬態會降低系統性能，並減少可靠度。KZ在不同的動態或「熱交換」情況下的優點為：最小化TDD系統內Tx/Rx合成器切換的傳送及恢復時間、當切換兩個RF元件如功率放大器、驅動器和低雜訊放大器時，避免損傷和錯誤引發的瞬態，且當切換分散式網路如3dB耦合器或4路分配器的路徑時，最小化未切換路徑的瞬態振幅和相位誤差。
IDT的射頻事業部總經理Chris Stephens提到，最新款SPDT開關，強化了IDT全新的KZ技術，大幅提高熱交換性能。F2923再次展現IDT在系統開發人員所企求的核心RF創新領導地位。
除KZ技術外，此裝置同時提供在2GHz時具有0.48dB的插入損耗、IIP3大於66dBm 2GHz、在2GHz時具有領先業界的74 dB隔離度。
IDT的創新KZ技術涵蓋的頻率範圍從300kHz至8000MHz，確保裝置從一個RF端口切換到另一個時，不損及隔離度、線性性能或插入損耗，同時並提供近乎恆定的阻抗(VSWR<1.4:1，相較標準切換器的VSWR為9:1)。F2923採用3.3V單一的正電壓電源，並支援標準的1.8V和3.3V邏輯控制準位。進一步了解：www.IDT.com。
DIGITIMES中文網 原文網址: IDT以新KZ恆阻抗技術改善RF切換器效能 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000454676_81N5I6ZT8H6EJP5MYCWFQ#ixzz3vI1WjeL2
