2016-05-24
英飛凌推出1200V SiC MOSFET技術
英飛凌推出1200V SiC MOSFET技術
2016/05/24-賴品如
德國慕尼黑訊
英飛凌科技正式推出革命性的SiC(碳化矽)MOSFET技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的CoolSiCMOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。
英飛凌工業電源控制事業處總裁Helmut Gassel博士表示：「20多年以來，英飛凌一直是開發SiC解決方案的先鋒，以滿足節能、精簡體積、系統整合和提升可靠度的需求。我們的肖特基二極體與J-FET技術讓設計人員得以超越傳統矽的限制，達到更高的功率密度和效能，英飛凌的SiC元件已經被用於數以百萬計的產品當中。此策略現更向前邁出一大步，將功率MOSFET整合，讓SiC技術發揮更多優勢，這是以前無法實現的事。」
SiC MOSFET功能的影響力確實讓人印象深刻。功率轉換配置運作時所使用的切換頻率，可達現今所使用之三倍或更高，其帶來的好處能減少磁性元件和系統外殼製造材料中的銅與鋁含量，有助於製造出更小及更輕的系統，以減少運輸需求，也更容易安裝。而功率轉換應用的設計人員更能創造出節能的新解決方案，並在全新範疇中運用效能、效率和系統彈性。
新的1200V SiC MOSFET經過優化能兼顧可靠性和效能。其運作時的動態損耗比1200V Si IGBT降低了一個數量級，可從根本上更為優化的系統，應用包括：光電逆變器、不斷電系統(UPS)或充電器/儲存系統等，而之後也將延伸至工業馬達應用。
MOSFET與一般驅動IGBT所用的+15V/-5V電壓完全相容，並結合目標應用所需的4V的導通臨界電壓(Vth)和強健的短路電流需求及可完全控制dv/dt特性。更勝Si IGBT替代方案的主要優點包括不受溫度影響的切換損耗，以及無最低導通電壓的導通特性。
依據累積多年SiC半導體開發經驗，全新MOSFET採用最先進的溝槽半導體製程，同時也是英飛凌CoolSiC技術全系列產品的最新發展。此系列包括肖特基二極體和1200V J-FET裝置，以及在模組裝置中結合Si IGBT與SiC二極體的各種混合式解決方案。
第一款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的額定導通電阻(RDS(ON))僅45mΩ，針對光電逆變器、不斷電系統、充電器和能源儲存應用，提供3針腳和4針腳的TO-247封裝。因為整合了穩定的本體二極體，其運作時反向回復損耗接近零，因此兩種裝置皆可在同步整流線路中使用。4針腳封裝在源極上設有額外的(Kelvin)連線，可作為閘極驅動電壓的參考電位。由於消除了因源極電感帶來的壓降影響，因此特別是在使用較高切換頻率的時候能進一步減少切換損耗。
英飛凌同時推出採用SiC MOSFET技術的1200V Easy1B半橋式與升壓器模組，由於結合了PressFIT連線與良好的散熱介面、極低的離散電感與堅固設計，因此每個模組皆提供11 mΩ和23 mΩ兩種額定RDS(ON)選項。
DIGITIMES中文網 原文網址: 英飛凌推出1200V SiC MOSFET技術 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?cnlid=13&cat=10&id=0000470572_56B6TCH06622613KL1LT9#ixzz49Wub2SD9
