2010/08/31-劉育成

 

國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 的全新HEXFET功率MOSFET 系列。採用業界標準SOT-23 封裝，具備超低導通電阻(RDS(on)) ，適用於電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕負載馬達驅動，以及電信設備等應用。

新款SOT-23 MOSFET 元件採用IR 最新的中電壓矽技術，藉由大幅降低90% RDS(on)改善電流處理能力，為客戶的特定應用優化其性能及價格。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示，全新的SOT-23 MOSFET 系列支持從-30V至100V 的寬電壓範圍，提供不同等級的RDS(on) 和閘電荷(Qg) ，為追求精密、高效率及低成本解決方案的客群帶來更佳、更廣泛的設計選擇。

新元件達到第一級濕敏感度(MSL1) 業界標準，採用的材料不含鉛，並符合電子產品有害物質管制規定(RoHS) 。